BLF6G38-10 datasheet
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>> BLF6G38-10 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G38-10
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38-10 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
3.1 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
CDFM
封装
Tube
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属性
链接
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BLF6G38-10,118
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BLF6G38-100
BLF6G38-100,112
供应商
公司名
电话
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
北京京华特科技有限公司
010-86398446-806
张小姐/韩先生
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市湘达电子有限公司
0755-83229772-83202753
朱平
刘学
刘先生
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
86-755-84501749
李先生
深圳市德力诚信科技有限公司
13305449939
王小姐
深圳市华诺星科技有限公司
18998911795
胡泽君
BLF6G38-10 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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